芯片遐想公司联发科（MediaTek）在近期的台北外洋电脑展（Computex Taipei）期间晓谕了一项攻击进展。公司副董事长兼首席施行官蔡力行在主题演讲中证实开云kaiyun，联发科方针于 2025 年 9 月将其首款领受 2nm 制程工艺的芯片居品在台积电（TSMC）完成流片。

蔡力行在其演讲中，围绕东说念主工智能等技巧趋势，阐述了联发科的布局。其中，2nm 芯片的激动是其技巧接头中的一个关节圭臬。尽管这款 2nm 芯片的具体运用和详备规格现在尚未公开，但据料到，它很可能将算作联发科下一代旗舰级转移处治器，包摄于其天玑（Dimensity）系列，可能是天玑 9600。

图丨蔡力行在 Computex 2025（起首：YouTube）

联发科将 2nm 芯片的流片霎刻定在 2025 年 9 月，这个时刻点也与台积电 2nm（N2）工艺节点的量产方针相吻合。台积电此前曾示意，其 N2 工艺瞻望在 2025 年下半年运转干预大范围坐褥。这意味着，淌若一切顺利，搭载联发科 2nm 芯片的商用终局缔造有望在 2026 年面市。值得细心的是，这意味着联发科的旗舰转移处治器将初次与苹果最新的 A 系列处治器在制程技巧上保捏同步，不再存在制程代差，瞻望两边皆将在 2026 年推出基于 2nm 工艺的商用居品。

据此前公布的有关信息台积电的 N2 工艺在技巧上完结了多项松弛，它是其初次领受多层堆叠的环绕栅极（GAA，Gate-All-Around）纳米片（Nanosheet）晶体管结构的制程技巧。与此前等闲使用的鳍式场效应晶体管（FinFET，Fin Field-Effect Transistor）的栅极三面包裹沟说念不同，GAA 纳米片晶体管的栅极材料大略 360 度鼓胀包裹每一层纳米片组成的沟说念，从而完结更优异的静电遗弃特点。

这种结构上的翻新，有助于在晶体管尺寸捏续收缩、集成度不停提高的同期，有用遏止走电流（leakage current），显耀改善短沟说念效应（short-channel effects），最终在芯片层面完结更显耀的性能莳植、功耗裁减和晶体管密度增多。凭据台积电官方提供的数据，相较于其 N3E（3nm 增强版）工艺，N2 工艺瞻望能在同等功耗下带来 10% 至 15% 的性能莳植，或在同等性能下裁减 25% 至 30% 的功耗，同期逻辑密度和举座芯片密度也将有显耀提高。

图丨台积电 20 厂将成为主要的 2nm 芯片坐褥纪律（起首：TSMC）

此外，为了疏漏先进制程下日益复杂的电源运送挑战，N2 工艺还将集成用于优化芯片里面电源运送收罗的超高性能金属 - 绝缘体 - 金属（SHPMIM，Super High Performance Metal-Insulator-Metal）电容器。这些镶嵌式电容器关于保管高速运算下的电压褂讪、减少电压降（IR drop）至关攻击。

与前代的 SHDMIM 遐想比拟，新的 SHPMIM 电容器提供了两倍以上的电容密度，并在关节的片电阻（Rs）和通孔电阻（Rc）方面完结了高达 50% 的裁减。这些矫正将平直回荡为更褂讪的供电、更低的功率损耗以及援助更高责任频率的才调，从而有望显着莳植芯片的峰值性能和捏续性能深远，并改义举座功耗。

关于联发科而言，积极导入 2nm 工艺，是其频年来捏续莳植居品定位、加强高端商场竞争力的继续。昔日数年，联发科通过天玑系列芯片，在高端智妙手机商场取得了显耀进展，其居品质能和商场份额均有莳植，"发哥"的名称也照旧渐渐从嘲谑酿成了招供。

举例，现在商场上的天玑 9400 系列芯片，凭借其性能和能效深远，照旧获取了部分商场和消耗者的招供。行将推出的 2nm 芯片，瞻望将在性能、能效，极度是在 AI 运算才调等方面带来进一步的莳植，这将有助于联发科在与高通等主要竞争敌手的旗舰级居品比拼中，保捏竞争力。

图丨天玑 9400（起首：MediaTek）

除了智妙手机芯片这一中枢业务，联发科也在积极将其跳跃的芯片技巧拓展到汽车电子（Dimensity Auto 平台）、物联网（Genio 平台）、AI PC 以及数据中心等新兴范围，并与英伟达等行业换取者在 AI 基础纪律方面张开深度和洽。畴昔，2nm 这么的先进制程技巧，凭借其带来的 PPA（性能、功耗、面积）上风，也可能渐渐运用到这些对高性能和低功耗有严苛需求的新兴商场居品中。

在 2nm 时间，联发科能否进一步牢固其在高端商场的地位，并对行业换取者发起更强有劲的挑战，值得咱们捏续温和与期待。

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